Оперативная память Silicon Power DDR3 4Gb, 1333MHz, CL9

Описание товара

Характеристики

Производитель: Silicon Power
Модель: Оперативная память Silicon Power DDR3 4Gb, 1333MHz, CL9
Общие характеристики:
Тип памяти — DDR3
Форм-фактор — SO-DIMM 204-контактный
Тактовая частота — 1333 МГц
Пропускная способность — 16000 Мб/сек
Объем: 2 x 2GB
Поддержка ECC — нет
Буферизованная (Registered) — нет
Низкопрофильная (Low Profile) — нет
Напряжение питания: 1.5 В
Тайминги:
CAS Latency (CL) – 9
RAS to CAS Delay (tRCD) — 9
Row Precharge Delay (tRP) -9
Activate to Precharge Delay (tRAS) — 9
Характеристики изделия могут изменяться производителем без
предварительного уведомления.